它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，

然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界

面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使

在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电

沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

作用：

1、可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必

使用电解电容器。

2、很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3、可以用作可变电阻。

4、可以方便地用作恒流源。

5、可以用作电子开关。